发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
摘要 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 기판 상에 순차로 적층되고, 각각이 서로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 도전 패턴들을 포함하는 N개(N은 2이상의 자연 수)의 적층 그룹들; 및 상기 적층 그룹들 각각의 상기 층간 절연막들 및 상기 도전 패턴들 내에 형성되고, 제1 방향을 따라 일렬로 배열된 N개의 계단형 홈들을 포함할 수 있다.
申请公布号 KR20170014757(A) 申请公布日期 2017.02.08
申请号 KR20150108611 申请日期 2015.07.31
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 이남재
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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