| 发明名称 | 具有磁芯电感器的集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有磁芯电感器的集成电路及其制造方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底内和/或之上形成第一电感器线圈。邻近衬底的顶面形成该第一电感器线圈。邻近第一电感器线圈在衬底内形成第一沟槽。至少部分地用磁性填充材料来填充第一沟槽。使在第一电感器线圈下面的衬底的至少第一部分变薄。在衬底的第一部分下面形成背面磁层。背面磁层和磁性填充材料形成第一电感器线圈的磁芯区域的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102446916B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201110292529.1 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | C.阿伦斯;A.格拉斯;R.霍夫曼;W.克莱因 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;蒋骏 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底内和/或之上形成第一电感器线圈，所述第一电感器线圈邻近衬底的顶面形成，其中在衬底之上的多个金属层级中形成第一电感器线圈的金属线；邻近第一电感器线圈在衬底内形成第一沟槽；至少部分地用磁性填充材料来填充第一沟槽；使在第一电感器线圈下面的衬底的至少第一部分变薄；以及在衬底的第一部分下面形成背面磁层，其中，所述背面磁层和所述磁性填充材料形成第一电感器线圈的磁芯区域的至少一部分，并且所述背面磁层和所述磁性填充材料是不同的材料。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||