| 发明名称 | 介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法 | ||
| 摘要 | 一种介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法。其中，介电抗反射涂层的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层。本发明形成的介电抗反射涂层增大介电抗反射层的消光系数和折射系数的调制范围。 | ||
| 申请公布号 | CN103137435B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201110383472.6 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩;张彬 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层，所述含氮介电抗反射涂层和无氮介电抗反射涂层构成介电抗反射涂层，且所述含氮介电抗反射涂层的消光系数和折射系数的调制范围大于无氮介电抗反射涂层的消光系数和折射系数的调制范围。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||