发明名称 一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管
摘要 本实用新型提供的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,改善了现有的有机场效应晶体管输出电流小的问题,并使其具有温度控制开关的功能,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10)。
申请公布号 CN205406567U 申请公布日期 2016.07.27
申请号 CN201620176284.4 申请日期 2016.03.08
申请人 中国计量学院 发明人 钱宏昌;唐莹;韦一;彭应全
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管,其特征在于,包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10);其中:开关电极位于衬底之上,由具有相变性质的二氧化钒薄膜构成;栅电极位于开关电极之上,绝缘层位于栅电极之上,光敏有机半导体层位于绝缘层之上,电子传输层位于光敏有机半导体层之上,光敏有机半导体层和电子传输层形成体异质结;第一缓冲层、第二缓冲层分别位于光敏有机半导体上方两侧,中间未覆盖缓冲层部分形成沟道;源电极、漏电极分别位于第一缓冲层、第二缓冲层之上,宽度与第一缓冲层、第二缓冲层相等;第一封装层、第二封装层依此叠加在制备好第一缓冲层、第二缓冲层、源电极和漏电极的光敏有机半导体层之上。
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