半导体接合保护用玻璃合成物、半导体装置及其制造方法

摘要

至少含有SiO₂、Al₂O₃、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B₂O₃、且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃合成物。SiO₂的含有量在32mol％～48mol％的范围内，Al₂O₃的含有量在9mol％～13mol％的范围内，ZnO的含有量在18mol％～28mol％的范围内，CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，B₂O₃的含有量在3mol％～10mol％的范围内。通过本发明的半导体接合保护用玻璃合成物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往使用“以硅酸铅为主要成分的玻璃”时同样的高耐压的半导体装置。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：准备具有pn接合露出的pn接合露出部的半导体元件的第1工序；以一层形成覆盖在所述pn接合露出部上的玻璃层的第2工序，其中，在所述第2工序中，使用至少含有SiO₂、Al₂O₃、ZnO、CaO、B₂O₃、且不含有Pb、Li、Na、K，且进一步不含有导致所述半导体元件的基体的绝缘性降低的P、As、Sb的半导体接合保护用玻璃合成物并形成所述玻璃层，在所述半导体接合保护用玻璃合成物中：SiO₂的含有量在32mol％～48mol％的范围内，Al₂O₃的含有量在9mol％～13mol％的范围内，ZnO的含有量在18mol％～28mol的范围内，CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，B₂O₃的含有量在3mol％～10mol％的范围内。