一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明首先曝光显影定义好栅电极图形，生长栅电极，接着淀积栅介质层，然后淀积源电极和漏电极，再溅射一层有源层，连续生长金属覆盖层，这种连续生长有源层和金属覆盖层的方式有助于减少背界面的缺陷态密度；最后将器件置于空气中退火，金属覆盖层氧化生成金属氧化物进而充当天然的钝化层，与采用原子层沉积ALD生成氧化铝的方法相比工艺简单，成本低廉，实用性强；针对于金属半导体氧化物对气氛敏感度较高的特性，金属氧化物作为钝化层有利于提高器件在空气中的可靠性。

主权项

一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅介质层、源电极、漏电极、有源层和金属覆盖层；其中，所述栅电极位于衬底之上；所述栅介质层位于栅电极之上；所述源电极和漏电极位于栅介质层之上，并且分别位于栅介质层的两侧；所述有源层覆盖栅介质层、源电极和漏电极；所述金属覆盖层连续生长在有源层上，形成有源层和金属覆盖层的堆叠层；所述金属覆盖层为金属在空气中退火氧化生成的金属氧化物，作为钝化层。