| 发明名称 | 具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103383859B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201210337314.1 | 申请日期 | 2012.09.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张琮永;李坤锡;郑基廷 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：至少一个存储单元管芯，所述至少一个存储单元管芯包括：数据存储单元；至少一个读辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压；以及至少一个写辅助使能单元，电连接至所述数据存储单元，所述至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||