发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和液晶面板。所述薄膜晶体管阵列基板包括具有一透明基板,还包括:栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、源极电极与漏极电极,以及,像素电极。本发明的薄膜晶体管阵列基板通过采用MoTi电极取代传统结构中的ITO电极,使得本发明的所述薄膜晶体管阵列基板的制造工艺中可以同时省掉PV层,减少一道光罩,以降低制造成本,扩大IGZO结构的应用。 |
申请公布号 |
CN105529336A |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201610058366.3 |
申请日期 |
2016.01.28 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
周志超 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
黄威 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板,具有一透明基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:栅极,所述栅极设于所述透明基板上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述透明基板上,并且覆盖所述栅极;半导体层,所述半导体层设于所述栅极绝缘层上,并且对应所述透明基板上的栅极电极;蚀刻阻挡层,所述蚀刻阻挡层设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述半导体层,并且,所述蚀刻阻挡层上形成数个接触孔;源极电极与漏极电极,所述源极电极与漏极电极设于所述蚀刻阻挡层上,并通过所述接触孔分别与所述半导体层连接;以及,像素电极,所述像素电极设于所述源极电极及漏极电极上。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |