浅沟槽结终端扩展结构

摘要

本发明提供一种浅沟槽结终端扩展结构，包括N⁺衬底、N^-漂移区、P⁺主结、P^-结终端扩展区、N⁺截止环、场氧、浅沟槽、金属阴极、金属阳极，所述浅沟槽从P⁺主结与P^-结终端扩展区的相连处一直延伸到完全覆盖P^-结终端扩展区的上方部分，浅沟槽内部全部填充二氧化硅；与传统的结终端扩展结构相比，本发明在保持耐压不变的情况下，表面漏电流减小了近20％，且降低了表面氧化层电荷对终端耐压的影响，提高了器件终端的稳定性，同时，该结构结终端扩展区与主结同时形成，沟槽深度浅，不需要任何复杂的工艺，可应用于非穿通器件，浅结器件等多种器件中，与现有的VDMOS、IGBT等工艺兼容，降低了器件的制作难度和成本。

主权项

一种浅沟槽结终端扩展结构，包括N⁺衬底、N^‑漂移区、P⁺主结、P^‑结终端扩展区、N⁺截止环、场氧、浅沟槽、金属阴极、金属阳极，其特征在于：N^‑漂移区位于N⁺衬底的正面，P⁺主结、P^‑结终端扩展区、N⁺截止环、浅沟槽均位于N^‑漂移区的正面，P⁺主结位于扩展结构的中心，所述P^‑结终端扩展区紧靠P⁺主结且位于P⁺主结的外侧，N⁺截止环位于P^‑结终端扩展区的外侧；所述浅沟槽从P⁺主结与P^‑结终端扩展区的相连处一直延伸到完全覆盖P^‑结终端扩展区的上方部分，浅沟槽内部全部填充二氧化硅；P⁺主结正上方为金属阴极，场氧从P⁺主结和P^‑结终端扩展区的交界处延伸到N⁺截止环，金属阳极位于N⁺衬底的背面。