一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护，同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附，使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层，此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，使光阻层能起到保护作用；本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。本发明还公开了制备上述LED芯片的互联结构的方法。

主权项

一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底（10）上的N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），其中N型半导体层（20）部分暴露在发光层（30）外，所述N型半导体层（20）的暴露区上设置有N电极（52），P型半导体层（40）表面设置有P电极（51），所述衬底（10）上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层（60），所述光阻层（60）上设置有使P电极（51）和N电极（52）外露的缺口，所述光阻层（60）表面蒸镀有金属导线层（70），所述金属导线层（70）两端分别连接不同的LED芯片上的电极。