METALL-GATE-STAPEL MIT TaAlCN-SCHICHT

摘要

Eine integrierte Schaltungsvorrichtung enthält eine Halbleiterträgerschicht; und einen Gate-Stapel, der über der Halbleiterträgerschicht angeordnet ist. Der Gate-Stapel enthält ferner eine dielektrische Gate-Schicht, die über der Halbleiterträgerschicht angeordnet ist; eine Multifunktions-Blockierungs-/Benetzungsschicht, die über der dielektrischen Gate-Schicht angeordnet ist, wobei die Multifunktions-Blockierungs-/Benetzungsschicht Tantalaluminiumcarbonnitrid (TaAlCN) umfasst; eine Austrittsarbeitsschicht, die über der Multifunktions-Blockierungs-/Benetzungsschicht angeordnet ist; und eine leitende Schicht, die über der Austrittsarbeitsschicht angeordnet ist.