发明名称 印刷温度传感器
摘要 提供一种生成温度感应器件的方法。该方法包括至少一个硅层和至少一个电极或接触件以限定热敏电阻器结构。至少所述硅层通过印刷形成,而所述硅层和所述电极或接触件中的至少一个在其印刷期间由一衬底支撑。优选地,采用包括尺寸范围在10纳米至100微米中的硅颗粒以及由粘合剂和合适的溶剂构成的液态载体的墨,通过印刷形成多个电极或接触件。在一些实施例中,衬底为其温度待测量的对象物。替换地,衬底可以是模板,可以是保护性地,或者可以是柔性或者刚性的材料。公开了各种器件的几何形状。
申请公布号 CN103210290B 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201180054592.X 申请日期 2011.09.13
申请人 PST传感器(私人)有限公司 发明人 大卫·托马斯·布里顿;马尔吉特·黑廷
分类号 G01K7/22(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I;H05K3/12(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I 主分类号 G01K7/22(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤雄军
主权项 一种生产温度感应器件的方法,所述方法包括步骤:形成至少一个硅层和至少一个电极或接触件以限定热敏电阻器结构,至少所述硅层通过印刷形成,而所述硅层和所述至少一个电极或接触件中的至少一种在其印刷期间由衬底支撑,其中,所述硅层由包括硅颗粒以及由粘合剂和合适的溶剂构成的液态载体的墨形成,所述硅颗粒的尺寸范围在10纳米至100微米并且具有允许电荷在颗粒之间传递的表面,电荷在单个颗粒或者颗粒堆之间的传输限于热激活方法;其中,通过硅层的电流的全面传输沿着互连颗粒和颗粒堆之间的逾渗通路以使得主要通过硅层的微观结构控制标称电阻或者室温电阻,这是通过以下方式改变的:通过改变墨的成分、通过变化硅与粘合剂之间的比例、或者通过增加硅石或陶质纳米颗粒的绝缘相或者导电或半导电相至所述墨,来增加至硅颗粒的至少一个额外的导电路径,从而有效增加相对不依赖于温度的内部电阻,所述内部电阻与热敏电阻器结构的依赖于温度的电阻并联。
地址 南非开普敦