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发明名称 Sposób wytwarzania tranzystora HEMT
摘要
申请公布号 PL220518(B1) 申请公布日期 2015.11.30
申请号 PL20120398719 申请日期 2012.04.04
申请人 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ 发明人 EKIELSKI MAREK;SIDOR ZUZANNA;JUCHNIEWICZ MARCIN
分类号 H01L29/00;H01L21/00;H01L29/778 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人
主权项
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