具有加偏压深沟渠隔离之增强光子侦测装置

主权项

一种光子侦测装置，其包含：一光电二极体，其具有安置在半导体材料之一第一区中之一平面接面，其中该半导体材料包括P掺杂矽，且该平面接面包括安置为相邻于该半导体材料中之一P掺杂矽区之一单一N掺杂矽区，其中该单一N掺杂矽区中之一掺杂密度朝该单一N掺杂矽区之一边缘逐渐减小，其中该单一N掺杂矽区之该边缘不利用一保护环或一掺杂井来进行隔离；及一深沟渠隔离(DTI)结构，其安置在该半导体材料中，其中该DTI结构将该DTI结构之一侧上的该半导体材料之该第一区与该DTI结构之另一侧上的该半导体材料之一第二区相隔离，其中该DTI结构包括：一介电层，其加衬在该DTI结构之一内侧表面；及经掺杂半导体材料，其安置在该DTI结构内侧之该介电层上，其中安置在该DTI结构内侧之该经掺杂半导体材料耦合至一偏压电压，以使该半导体材料之该第一区中之该光电二极体与该半导体材料之该第二区相隔离。