| 发明名称 |
一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法，包括以下步骤：（1）采用分子束外延的方法在衬底上制备ZnO薄膜作为生长ZnO纳米结构的籽晶层；（2）在所述薄膜上用水热的方法生长交叉型ZnO纳米线阵列。本发明利用水热方法制备的交叉状ZnO纳米线阵列，具有以下优点：1、此方法制备交叉状ZnO纳米线阵列利用分子束外延技术蒸镀一层很薄的ZnO薄膜，来作为生长制备纳米结构的籽晶层，没有利用金属做催化剂，避免引入杂质。2、此方法制备出的交叉状ZnO纳米线阵列，形貌均一，可大面积的生长。3、通过水热方法可以较为容易的制备交叉状ZnO纳米线阵列，并且具有很好的重复性。 |
| 申请公布号 |
CN104229862B |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
| 申请号 |
CN201410435338.X |
申请日期 |
2014.08.31 |
| 申请人 |
济南大学 |
发明人 |
丁梦;徐锡金;邓晓龙;邵明辉;黄金昭 |
| 分类号 |
C01G9/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用分子束外延的方法在衬底上制备ZnO薄膜作为生长ZnO纳米结构的籽晶层；（2）在所述薄膜上用水热的方法生长交叉型ZnO纳米线阵列，其中，所述步骤（1）的工作参数为：选用金属Zn和氧气作为生长源，具体生长参数：生长温度为800℃，生长室真空度为3×10<sup>‑3</sup>Pa，氧气射频功率稳定在300W，氧气流量为1SCCM；其中，所述步骤（2）的过程为：以六次甲基四胺和乙酸锌为反应源，以去离子水为溶剂，制得反应溶液，以步骤（1）制备的带有ZnO薄膜的衬底为反应基底，将20ml的反应溶液和反应基底放入高压反应釜，密封好后放入烘箱，生长温度为90℃，反应时间为12－18小时。 |
| 地址 |
250022 山东省济南市南辛庄西路336号济南大学物理科学与技术学院 |
