一种垂直生长TiO₂纳米片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种在碳基电极表面垂直生长TiO₂纳米片及其制备方法，属于纳米材料技术领域。TiO₂纳米片制备方法包括四个步骤，基底预处理；预处理的基底在氢氧化钠溶液中原位水热反应，这是一个溶解再结晶的过程，加入一定量的结构诱导剂以形成垂直基底表面均匀生长的纳米片阵列；洗涤、酸泡，反应完成后将生成的TiO₂纳米片用超纯水反复洗涤，再用酸浸泡至中性；煅烧，在N₂保护气氛中于一定温度下煅烧一定时间即得到单晶型垂直生长TiO₂纳米片。TiO₂纳米片具有良好的生物相容性、稳定性、环境友好性，该方法制备简单，而垂直生长的纳米片能降低电子转移的阻力，用于微生物燃料电池(MFC)中提高了电量输出。

主权项

一种垂直生长TiO₂纳米片，其特征是，采用结构诱导剂，水热法在碳基电极上原位生长与碳基电极表面垂直的TiO₂纳米片；TiO₂纳米片2‑5μm长，200‑600nm宽，生长密度可根据表面吸附的溶胶种子层控制。