| 发明名称 | 化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及覆盖层包含p型掺杂剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103035696B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201210264652.7 | 申请日期 | 2012.07.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 宫岛丰生;今西健治;山田敦史;中村哲一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 朱胜;陈炜 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：电子传输层；电子供给层，形成在所述电子传输层上方；以及覆盖层，形成在所述电子供给层上方；其中，所述覆盖层包含在与所述电子传输层和所述电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与所述电子传输层和所述电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及所述覆盖层包含p型掺杂剂。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||