制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法

摘要

本发明提出了一种制备准谐振变换器的结构及方法，包括在半导体衬底上形成的半导体功率器件，该半导体功率器件还包括一个在半导体衬底外围附近的通道终止区，其中通道终止区还包括一个二极管的外围端，对应与外围端水平相对的二极管另一端，设置在半导体功率器件的有源区上。在本发明的一个实施例中，半导体功率器件是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

主权项

一种半导体器件结构，其特征在于，包含：一个形成在半导体衬底中的垂直半导体器件；一个位于垂直半导体器件的截止区中的二极管的外围端；一个设置在垂直半导体器件的有源区中的二极管的中心端，其横向远离所述二极管的外围端；其中，所述二极管的外围端还包含一个导电插头，填充在半导体衬底外围附近的外围沟槽中，并且被设置在导电插头上方的阴极金属接头覆盖，其中所述的外围沟槽接触一个第一导电类型的上部掺杂区形成所述二极管的阴极区；所述二极管的中心端还包含另一个导电插头，其填充在半导体衬底有源区中的中心接触沟槽中，电接触中心接触沟槽底部的第二导电类型的掺杂区，所述中心接触沟槽底部的第二导电类型的掺杂区形成所述二极管的阳极区。