发明名称 固态摄像装置
摘要
申请公布号 TWI483391 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW101122195 申请日期 2012.06.21
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 古川智康;酒井哲;野中裕介;杉野真也
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种固态摄像装置,构成为:具有构成画素之第1及第2光二极体(10),将入射于各画素之光藉前述第1及第2光二极体作光电转换而产生电荷,及收集该等电荷;该固态摄像装置之特征在于:具有:第1导电型之半导体基板(1);设于前述半导体基板上的比前述半导体基板之杂质浓度为低的第1导电型之半导体层(2);设于前述半导体层(2)上的第1导电型之阱层(12);设于前述阱层(12)的一部分之第2导电型之第1及第2光二极体;设于前述阱层(12)上的一部分之层间绝缘膜(8);藉前述层间绝缘膜(8)而被绝缘,且设于前述第1及第2光二极体上的复数个配线层(5、6、7);构成为从前述半导体基板(1)伸出,贯通前述半导体层(2)及前述阱层(12)而接于前述第1光二极体,且延伸于层之厚度方向的第2导电型之第1串讯防止层(9a);构成为从前述半导体基板(1)伸出,贯通前述半导体层(2)及前述阱层(12)而接于前述第2光二极体,且延伸于层之厚度方向的第2导电型之第2串讯防止层 (9a);以及构成为从前述半导体基板(1)伸出,贯通前述半导体层(2)而接于前述阱层(12),且延伸于层之厚度方向的第2导电型之第3串讯防止层(110);前述第1及第2光二极体(10)系彼此相邻而设,前述第3串讯防止层(110)系构成为于剖面构造上设于第1串讯防止层(9a)与第2串讯防止层(9a)之间,从而防止在横穿过此第3串讯防止层(110)之前述延伸方向的路径上之光电荷的移动。
地址 日本