| 发明名称 | 一种肖特基二级管的布置方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供一种肖特基二级管的布置方法，包括，a.提供具有衬底和外延层的基体；b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；c.在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极，在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。本发明提供的肖特基二级管的布置方法能够有效的将多个分立器件的肖特基二级管直接形成于同一基体之上，并且集成后的肖特基二级管不会相互影响。另外，其阴极和阳极位于基体的横向同侧，能够有效节省空间并实现逻辑功能。采用这种方法制造的集成器件结构简单，价格低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN104409520A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410748316.9 | 申请日期 | 2014.12.09 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 发明人 | 唐冬;刘旸;白羽;徐衡;刘剑 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人 | 方挺;葛强 |
| 主权项 | 一种肖特基二级管的布置方法，包括：a.提供具有衬底和外延层的基体；b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；c.在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极；在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。 | ||
| 地址 | 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号 | ||