发明名称 |
TiO<sub>2</sub>量子点复合MoS<sub>2</sub>纳米花异质结半导体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种TiO<sub>2</sub>量子点复合MoS<sub>2</sub>纳米花异质结半导体材料,其包括MoS<sub>2</sub>纳米花和TiO<sub>2</sub>纳米颗粒;所述TiO<sub>2</sub>纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS<sub>2</sub>纳米花的表面,在花瓣上具有良好复合;所述TiO<sub>2</sub>纳米颗粒相呈点状密集分布。为本发明还公开了TiO<sub>2</sub>量子点复合MoS<sub>2</sub>纳米花异质结半导体材料的制备方法,采用两步溶剂热法使MoS<sub>2</sub>纳米花上均匀生长出点状TiO<sub>2</sub>纳米颗粒,得到良好复合形貌的材料。本发明制备方法具有操作简单,产量高,制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展应用潜力。 |
申请公布号 |
CN104402052A |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201410598134.8 |
申请日期 |
2014.10.30 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
郁可;傅豪;朱自强 |
分类号 |
C01G39/06(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B01J27/051(2006.01)I |
主分类号 |
C01G39/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
一种TiO<sub>2</sub>量子点复合MoS<sub>2</sub>纳米花异质结半导体材料,其特征在于,所述材料包括MoS<sub>2</sub>纳米花和TiO<sub>2</sub>纳米颗粒;其中,所述TiO<sub>2</sub>纳米颗粒均匀并且分布在所述MoS<sub>2</sub>纳米花的表面,在花瓣上复合;所述TiO<sub>2</sub>纳米颗粒相比所述MoS<sub>2</sub>纳米花呈点状密集分布。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |