| 发明名称 | 一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法，所述栅控二极管反熔丝单元结构至少包括：沟道区；P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端；栅极结构，制作于所述沟道区表面，其中，所述沟道区的导电类型可以是P型或者N型。本发明具有以下有益效果：本发相比于现有的MOS结构反熔丝结构，去除了浅掺杂漏区域LDD，降低了器件的寄生电容；本发明采用栅控二极管结构的反熔丝，降低了导通时栅极所需添加的电压，提高了器件的性能并保证了器件的稳定性，降低器件失效的几率；本发明工艺与现有的MOS工艺兼容，结构简单，不增加器件成本，适用使用于工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104347629A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310313550.4 | 申请日期 | 2013.07.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 廖淼 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01)I;H01L21/8229(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于，至少包括：沟道区；P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端；栅极结构，制作于所述沟道区表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||