半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一掺杂阱；一第一掺杂电极；一第二掺杂电极；多个掺杂条纹，位于该第一掺杂电极与该第二掺杂电极之间的该第一掺杂阱上，其中这些掺杂条纹互相分开；以及一掺杂顶区，位于这些掺杂条纹上，并延伸于这些掺杂条纹之间的该第一掺杂阱上，其中，该第一掺杂阱与该掺杂顶区具有一第一导电类型，这些掺杂条纹具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型。