发明名称 用于测量电气设备的损耗因子的仪器和方法
摘要 一种用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备(2)尤其是中压电缆的损耗因子的仪器(1),包括:至少第一传感器和第二传感器(3A、3B),该第一传感器和第二传感器(3A、3B)可分别连接到设备(2)的沿着设备(2)轴向地隔开预先确定的量的第一测量部位和第二测量部位(4A、4B),且被设计为测量由轴向地流过设备的负载电流在设备(2)外生成的磁场的相应值;处理单元(5),该处理单元(5)被设计为接收由传感器(3A、3B)测量的磁场值且被编程为从它们导出作为在所测量的磁场值之差的函数的负载损耗值。
申请公布号 CN102597791B 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201080049797.4 申请日期 2010.10.27
申请人 特英普科技有限公司 发明人 S·塞拉;G·C·蒙塔纳里
分类号 G01R27/26(2006.01)I;G01R31/02(2006.01)I 主分类号 G01R27/26(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张东梅
主权项 一种用于测量具有轴向延伸的细长几何形状的电气设备(2)的损耗因子的仪器(1),包括:至少第一传感器和第二传感器(3A、3B),所述第一传感器和第二传感器(3A、3B)分别可连接到所述设备(2)的沿着所述设备(2)轴向地隔开预先确定的量的第一测量部位和第二测量部位(4A、4B),且被设计为测量在所述第一测量部位和第二测量部位处(4A、4B)由轴向地流过所述设备的负载电流在所述设备(2)外生成的磁场信号的相应的值,所述值表示所述磁场信号的振幅;其特征在于,所述仪器(1)包括处理单元(5),所述处理单元(5)被设计为接收由所述传感器(3A、3B)测量的磁场值,且被编程为从它们导出作为所测量的磁场值之差的函数的负载损耗值,所述差表示在所述测量部位(4A、4B)处所述磁场信号的振幅之差,其中所述处理单元(5)被编程为根据下列等式导出所述负载损耗值:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mfrac><mi>R</mi><mi>d</mi></mfrac><mo>&CenterDot;</mo><mfrac><mrow><mi>Re</mi><mrow><mo>(</mo><msub><mi>H</mi><mi>&tau;</mi></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>z</mi><mn>2</mn></msub><mo>,</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><msub><mi>H</mi><mi>&tau;</mi></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>z</mi><mn>1</mn></msub><mo>,</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><mfrac><mrow><mi>&omega;</mi><mo>&CenterDot;</mo><mi>E</mi></mrow><mrow><mi>c</mi><mo>&CenterDot;</mo><mn>2</mn><mo>&CenterDot;</mo><msqrt><mn>2</mn><mi>&pi;</mi></msqrt></mrow></mfrac><mo>&CenterDot;</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mn>0</mn></msub><mo>&CenterDot;</mo><mrow><mo>(</mo><msub><mi>z</mi><mn>2</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>z</mi><mn>1</mn></msub><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><mo>(</mo><msub><mi>z</mi><mn>2</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>z</mi><mn>1</mn></msub><mo>)</mo></mrow></mfrac><mo>&CenterDot;</mo><msubsup><mo>&Integral;</mo><msub><mi>z</mi><mn>1</mn></msub><msub><mi>z</mi><mn>2</mn></msub></msubsup><mi>tan</mi><mi>&delta;</mi><mrow><mo>(</mo><mi>z</mi><mo>)</mo></mrow><mi>dz</mi><mo>,</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000526087640000011.GIF" wi="1128" he="209" /></maths>其中z是表示沿着所述设备(2)的位置的变量,R是所述传感器(3)离开所述设备(2)的轴的辐向测量的距离,d是所述设备(2)的直径或者是表示所述设备(2)的大小的量,H<sub>τ</sub>是磁场的切向分量,z<sub>1</sub>和z<sub>2</sub>分别是所述第一传感器和所述第二传感器的位置,ω是被施加到所述设备的电压的角频率,E是所述设备(2)的绝缘体经受的电场,c是光速。
地址 意大利博洛尼亚