发明名称 |
半导体光电倍增元件 |
摘要 |
根据本发明的构成,其目的在于提供一种检测精度及时间解析度得以提高的半导体光电倍增元件,其包括连接于二极管D的AD转换电路11。某二极管D检测到光子时所产生的电流一部分会流入至经由电阻而与二极管D并联连接的相邻二极管D中。此时的电流被充电至相邻的二极管D的寄生电容中且被释放。然所释放的电流会被AD转换电路11阻挡而不流向输出端子侧,亦无法使AD转换电路11导通断开。因此,根据本发明的构成,可不受到从寄生电容释放的电流的影响来对光进行检测。因此,根据本发明,可提供具有高检测精度及良好的时间解析度的半导体光电倍增元件。 |
申请公布号 |
CN104054326A |
申请公布日期 |
2014.09.17 |
申请号 |
CN201280067398.X |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
株式会社岛津制作所 |
发明人 |
古宫哲夫 |
分类号 |
H04N5/369(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;H04N5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/369(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种半导体光电倍增元件,对光进行检测的多个光电二极管经由电阻而并联连接,上述半导体光电倍增元件的特征在于包括:供给端子,对各个上述光电二极管供给偏压电压;二极管连接电阻,与上述光电二极管串联连接;以及二值化电路,其输入连接于位于上述光电二极管与上述二极管连接电阻之间的中间节点;上述二值化电路的输出经由将电压变化转换为电流信号的转换电阻,而连接于半导体光电倍增元件的输出端子。 |
地址 |
日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地 |