一种提高发光二极管芯片可焊性的方法

摘要

本发明提出了一种提高发光二极管芯片可焊性的方法，包含以下步骤：第一次外延生长在衬底上自下而上依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层；在上包覆层上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区；第二次外延生长形成外延窗口层；蒸镀Au/BeAu/Au和GeAu/Au，通过切割方式形成独立芯片。本发明在电极下方通过外延手段制作的局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管芯片的可焊性得到了有效提高。

主权项

一种提高发光二极管芯片可焊性的方法，其特征在于，包含以下步骤：1)第一次外延生长：在衬底(1)上自下而上依次形成缓冲层(2)、布拉格反射器(3)、下包覆层(4)、发光层(5)和上包覆层(6)；2)光刻刻蚀：在所述上包覆层(6)上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区(7)；3)第二次外延生长：在所述步骤2)所得结构上形成外延窗口层(8)；4)上电极(9)制备：在所述步骤3)所得结构上蒸镀Au/BeAu/Au，退火，光刻刻蚀，去胶；5)下电极(10)制备：将所述衬底(1)用研磨的方式减薄至190±10μm，在所述衬底(1)的背面蒸镀GeAu/Au，退火；6)透切：通过切割方式将所述步骤5)所得结构形成独立芯片。