使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割

摘要

本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域。之后，透过经图案化的掩模上的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

主权项

一种切割包含多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模包含覆盖及保护所述集成电路的层；以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模，从而曝露位于所述集成电路之间的所述半导体晶圆的多个区域；以及透过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。