发明名称 |
用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了用于半导体功率器件的沟槽式终端,该终端包含至少一个沟槽,所述沟槽位于终端器件衬底内,终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅,在所述终端区域的沟槽的端口和底部的周围具有P型区域,该P型区域与衬底的掺杂类型相反。本发明提供的用于半导体功率器件的沟槽式终端,通过在沟槽周围电场强烈集中的位置形成起保护作用的P型区域,该P型区域与衬底的掺杂类型相反,增强了该终端的可靠性。该沟槽式终端结构应用在元包结构为沟槽的功率器件中,能够减少器件制作的工艺步骤,从而降低制作成本。 |
申请公布号 |
CN103715232A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201210370720.8 |
申请日期 |
2012.09.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
褚为利;朱阳军;田晓丽;吴振兴 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
用于半导体功率器件的沟槽式终端,其特征在于,终端包含至少一个沟槽,所述沟槽位于终端器件衬底内,终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅,在所述终端的沟槽的端口和底部的周围具有P型区,该P型区与衬底的掺杂类型相反。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |