| 发明名称 | 栅极氧化层生长方法以及CMOS管制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅极氧化层生长方法以及CMOS管制作方法：进行阱注入形成N型阱或P型阱；在N型阱或P型阱上制作栅极氧化层；进行栅极的淀积；进行多晶硅的光刻以形成栅极。在栅极侧边制作栅极侧墙一；进行轻掺杂注入形成轻掺杂源漏结构；在栅极侧墙一侧边制作形成侧墙二；进行源漏注入形成源漏极；制作金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。在N型阱或P型阱上制作栅极氧化层包括：通过现场水汽生成来生长栅极氧化层；对栅极氧化层进行氮化；对栅极氧化层进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN103489770A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310432366.1 | 申请日期 | 2013.09.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张冬明;刘巍 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种栅极氧化层生长方法，其特征在于包括：通过现场水汽生成来生长栅极氧化层；对栅极氧化层进行氮化；对栅极氧化层进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||