摘要 |
Magnetron-Sputtervorrichtung, umfassend: ein Target (2); eine Magnetronanordnung (1) für das Target, welche derart angeordnet und ausgebildet ist, dass diese eine gleichmäßige Erosion des Targets über seine Oberfläche (2a) erzeugt; und einen Träger (12) zum Halten eines Substrates (3) auf dem eine dünne Schicht aus Targetwerkstoff von dem Target abgelagert werden soll, gekennzeichnet durch eine geschlossene Magnetanordnung (10), welche benachbart aber außerhalb einer das Target (2) einschließenden Vakuumkammer um einen Umfang des Sputtertargets herum angeordnet ist, zum magnetischen Einschließen oder Begrenzen eines Plasmas, welches benachbart zur Targetoberfläche (2a) ausgebildet ist, zum Verändern eines Erosionsmusters des Targets, und eine Steuerung (10a) zum wahlweisen Freigeben der Ausbreitung des Plasmas über die gesamte Oberfläche des Targets in einem ersten, reinigenden Modus derart, dass die gesamte Oberfläche (2a) desselben erodiert wird, und zum wahlweisen Einschließen des Plasmas in einem zweiten, ablagernden Modus derart, dass das Plasma innerhalb des Umfangs des Targets eingeschlossen ist, wobei ein Magnet der Magnetronanordnung (1) in Bezug auf das Target bewegbar ist.
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