| 发明名称 | 二氧化硅标准晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种二氧化硅标准晶片及其制造方法。所述二氧化硅标准晶片包括：晶圆、形成于所述晶圆上的标准厚度的二氧化硅层以及形成于所述二氧化硅层上的钝化层。采用上述二氧化硅标准晶片，因为钝化层可以将所述二氧化硅层与外界环境隔离开，从而使的二氧化硅层厚度保持固定不变，避免了二氧化硅标准晶片对测量机台测量精确性的干扰。 | ||
| 申请公布号 | CN103175495A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310062476.3 | 申请日期 | 2013.02.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李杰;王智;苏俊铭;张旭升 |
| 分类号 | G01B21/08(2006.01)I | 主分类号 | G01B21/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种二氧化硅标准晶片，包括：晶圆和形成于所述晶圆上的标准厚度的二氧化硅层，其特征在于，还包括形成于所述二氧化硅层上的钝化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||