发明名称 |
一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法,经CVD/CVI技术,在适合的温度范围内,采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、硅烷作为硅源,CH4、C3H6、C2H2或其它烷烃、烯烃、炔烃作为碳源,NH3或N2作为氮源,H2作为载气与反应气体,Ar作为稀释气体,在基底材料上原位合成SiCN,获得了均匀致密、无杂质、组分和吸波性能可设计的SiCN基体和涂层。本发明克服现有技术制备CFCC-SiC吸波性能不高的不足,同时便于实现所制备的吸波基体的组分、渗透性、厚度以及吸波性能的控制。 |
申请公布号 |
CN103058695A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210540482.0 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
张立同;殷小玮;叶昉;刘晓菲;刘永胜;成来飞;薛继梅 |
分类号 |
C04B35/80(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B38/06(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/80(2006.01)I |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 61204 |
代理人 |
王鲜凯 |
主权项 |
一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将多层纤维布按0°和90°方向编织成二维结构,采用石墨夹具夹持形成预制体;所述纤维布为碳纤维或其他陶瓷纤维等。步骤2:将预制体悬挂于真空炉,处于炉内等温区中心位置,采用CVD/CVI法沉积预制体得到氮化硅透波陶瓷基体,制备过程中:先驱体为硅源、碳源、氮源、H2载气、H2稀释及Ar,反应温度为700~1200℃,保温时间为8~200小时,炉内压力为0~5000Pa;所述氮源N与硅源Si的摩尔比为0~5,碳源C与硅源Si的摩尔比为0~5,H2总量与硅源Si的摩尔比为5~40,Ar与硅源Si的摩尔比为5~40。 |
地址 |
710072 陕西省西安市友谊西路127号 |