| 发明名称 | 形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。 | ||
| 申请公布号 | CN103048876A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210383423.7 | 申请日期 | 2012.10.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴贞珠;金京美;金珉廷;李东峻;金富得 |
| 分类号 | G03F1/56(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/56(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：在衬底上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层包括光致产酸剂和光致产碱剂；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸；在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||