| 摘要 |
<p>Le dispositif semiconducteur bidirectionnel déclenchable, possède deux bornes et au moins une gâchette ; il comprend au sein d'une couche de silicium sur isolant (CHS), une zone centrale semiconductrice (ZC) incorporant ladite au moins une gâchette et comportant une région centrale (RC) ayant un premier type de conductivité, deux régions intermédiaires (RIT1, RIT2) ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier respectivement disposées de part et d'autre de et en contact avec la région centrale, deux zones d'extrémités semiconductrices (ZX1, ZX2) respectivement disposées de part et d'autre de la zone centrale (ZC), chaque zone d'extrémité comportant deux régions d'extrémité (RX21, RX22 ; RX11, RX12) de types de conductivité opposés, en contact avec la région intermédiaire voisine, les deux régions d'extrémité de chaque zone d'extrémité étant mutuellement électriquement</p> |
