| 发明名称 | 生长铜纳米线的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在水溶液中合成以生产克级量的铜纳米线的方法，其中将所述铜纳米线分散在所述溶液中。铜纳米线在反应的前5分钟内从球状铜纳米粒子生长。可以从溶液中收铜纳米线并将其印刷从而制成导电薄膜，所述导电薄膜（优选＜10,000Ω/sq）优选透过大于约60%的可见光。 | ||
| 申请公布号 | CN102792385A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201080062895.1 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 杜克大学 | 发明人 | 本杰明·维利;阿隆·拉特米尔 |
| 分类号 | H01B1/02(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 张颖;谢丽娜 |
| 主权项 | 导电薄膜，其包括铜纳米线（CuNWs）的网络结构，所述导电薄膜的方块电阻小于约10,000Ω/sq。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||