用于增加光阻移除率之装置及电浆灰化方法

摘要

一电浆灰化方法，其用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一电浆；将该电浆导引入一处理室，其中该处理室包含一和电浆流体连通之阻隔平板组件；使该电浆流经该阻隔平板组件，并自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、和挥发性副产物；藉由将一氧气电浆导入该处理室，以周期性地清洁该处理室；使一冷却气体流过该阻隔平板组件以冷却该阻隔平板组件。一设置成用以接收下游式电浆之处理室，该处理室包含一上方阻隔平板，该上方阻隔平板包含：至少一和热传导支座，其与该处理室之一壁热连通；以及一和该上方阻隔平板间隔之下方阻隔平板。

主权项

一种电浆灰化方法，用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，该基板系含有一低k介电材料，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一电浆；使该电浆流经一阻隔平板组件和于基板之上，并自该基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、以及挥发性副产物；使一冷却气体以电浆流相反之方向流经该阻隔平板组件之上方阻隔平板，该冷却气体流入之量有效地降低该上方阻隔平板之温度。如申请专利范围第1项之方法，其中该阻隔平板包括该上方阻隔平板和至少一与该上方阻隔平板分隔且共面之额外之阻隔平板。如申请专利范围第1项之方法，其中该电浆包括氢和一惰性气体。如申请专利范围第3项之方法，其中该惰性气体为氦气。如申请专利范围第1项之方法，其中使该冷却气体自电浆流相反之方向流动之流速为在标准之温度和压力条件下每分钟15公升至大约每分钟100公升。如申请专利范围第1项之方法，其中使该冷却气体流动包括同时对基板加热。如申请专利范围第1项之方法，其中该冷却气体包括一惰性气体。如申请专利范围第1项之方法，其中该冷却气体是选自于由氦、氩、氢、和其混合物组成之群组中之一元素。如申请专利范围第2项之方法，其中该至少一与该上方阻隔平板分隔且共面之额外之阻隔平板包含复数个孔洞，该复数个孔洞分布于一中心轴周围且其密度由该中心轴向该至少一额外之阻隔平板之外围边缘增加。如申请专利范围第2项之方法，其中该上方阻隔平板更包含一冲击平板，该冲击平板和该上方阻隔平板之中心部位实体相连通。如申请专利范围第1项之方法，其中自基板移除光阻剂材料、后蚀刻残留物、以及挥发性副产物之灰化率大于无冷却气体流入时之灰化率。如申请专利范围第2项之方法，其中该至少一与该上方阻隔平板分隔且共面之额外之阻隔平板包含复数个孔洞，该复数个孔洞分布于一中心轴周围且其直径由该中心轴向该至少一额外之阻隔平板之外围边缘增加。一种电浆灰化方法，用于自一包含碳、氢、或是碳氢结合物之基板移除光阻剂材料和后蚀刻残留物，其中该基板包含一低k介电层，该方法包括：以一实质上无氧无氮之气体混合物形成一电浆，其中该电浆包含氢和氦；使该电浆流入一处理室，该处理室包含一和该电浆体接触之一阻隔平板组件，其中该阻隔平板组件包含一大致为平面之上方阻隔平板，其位于一大致为平面之下方阻隔平板之上，该下方阻隔平板包含复数个分布于一中心轴周围之孔洞，其中该复数个孔洞之密度由该中心轴向该下方阻隔平板之外围边缘增加；周期性地藉由导引一含氧电浆进入该处理室以清洁该处理室；以及使一冷却气体流动于该上方阻隔平板之中心冲击区域及其周围以冷却该阻隔平板组件。如申请专利范围第13项之方法，其中使该冷却气体流过该阻隔平板组件之流速为在标准之温度条件下每分钟15公升至大约每分钟100公升。如申请专利范围第13项之方法，其中使该冷却气体流过该阻隔平板组件之流动方向与流入该处理室的该电浆流动之方向相反。如申请专利范围第13项之方法，其中该冷却气体包含一惰性气体。如申请专利范围第13项之方法，其中该冷却气体是选自于由氦、氩、氢、和其混合物组成之群组中之一元素。一处理室，其设置成用以接收电浆，该处理室包含：一阻隔平板组件，其包含一大致为平面之上方阻隔平板，其位于一大致为平面之下方阻隔平板之上，该下方阻隔平板和该上方阻隔平板包含至少一热传导支座，其和该处理室之一壁热连通。如申请专利范围第18项之处理室，其中该处理室之壁为水冷式。如申请专利范围第18项之处理室，其中该上方阻隔平板由热传导材料所构成。如申请专利范围第18项之处理室，其中该上方阻隔平板由铝所制成。一种下游式电浆灰化器，包含如申请专利范围第18项之处理室。