发明名称 |
具有低电压模式操作的存储器 |
摘要 |
一种包括存储器单元(113、117、115、119)的存储器,其中该存储器被配置以在正常电压模式和低电压模式中操作。方法包括在正常电压模式期间,在存储器单元的每个单元两端的第一电压之下操作存储器单元。方法还包括在从正常电压模式变换到低电压模式时,在存储器单元的每个单元两端的第二电压之下操作存储器单元,其中第二电压低于第一电压。方法还包括在维持存储器单元两端的第二电压的同时执行对存储器单元的子集的访问。 |
申请公布号 |
CN102376351A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201110221731.5 |
申请日期 |
2011.08.04 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
H·B·恩古延;T·L·库珀;R·拉玛拉朱;A·C·拉塞尔 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种操作包括存储器单元的存储器的方法,所述方法包括:执行对所述存储器单元的子集的第一访问,同时维持所述存储器单元两端的第一电压;执行对所述存储器单元的所述子集的第二访问,同时维持所述存储器单元两端的第二电压,所述第二电压小于所述第一电压;其中在执行所述第一访问和所述第二访问期间,所述存储器在第一电压供应端子接收第一供电电压以及在第二电压供应端子接收第二供电电压,其中所述第一电压是所述第一供电电压与所述第二供电电压之间的差。 |
地址 |
美国得克萨斯 |