发明名称 | 纳流体晶体管的制备方法 | ||
摘要 | 一种纳流体晶体管的制备方法,包括:在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙;去除基底材料层;在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层;再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层;去除侧墙材料层,保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层,形成一纳流管道,并注入纳流体;钝化并在管道两端和金属层上方开孔,引出三端电极即形成纳流体晶体管。 | ||
申请公布号 | CN102054691B | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
申请号 | CN200910237096.2 | 申请日期 | 2009.11.04 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张加勇;王晓峰;王晓东;杨富华 |
分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种纳流体晶体管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层和基底材料层;步骤2:用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;步骤3:在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;步骤4:采用干法回刻,去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙;步骤5:用湿法腐蚀的方法去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;步骤6:采用薄膜淀积和光刻和干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层;步骤7:再用光刻或电子束光刻和薄膜淀积和剥离工艺在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层;步骤8:然后用湿法腐蚀的方法去除侧墙材料层,保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层,形成一纳流管道,在管道中注入纳流体;步骤9:钝化并在管道两端和金属层上方开孔,引出三端电极即形成纳流体晶体管,完成纳流体晶体管的制备。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |