| 发明名称 | 一种提高光刻胶曝光精度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法，该光刻胶对紫外光具有高透射性，该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收，减小了透射紫外光的影响，大幅提高了曝光精度，能够有效避免经光刻机晶片托盘反射的紫外光对光刻胶进行二次曝光，从而提高光刻精度，可以应用于任意透明衬底上对任意高透射性光刻胶的高精度曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN102354087A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110344422.7 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 毛旭;杨晋玲;杨富华 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种提高光刻胶曝光精度的方法，该光刻胶对紫外光具有高透射性，其特征在于，该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||