| 主权项 |
一种半导体发光装置，包含：一蓝宝石基板，系具有一外凸部，该外凸部之至少一外表面之部分包含一晶面、一非极性面、或一半极性面；以及一半导体发光叠层结构，系形成于该基板上方，并大体上与该外凸部之轮廓相符合。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该晶面系非{0001}。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该晶面系择自{11-20}、{10-10}、{11-23}、{1122}、及{10-11}所构成之群组。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该外凸部之轮廓系择自角锥、脊形、及平截头体所构成之群组。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该外凸部之轮廓系一三角锥，且该外凸部之至少一外表面系为{1-102}。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该外凸部系形成为一脊形，且该外凸部之至少一外表面系为{1-102}。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该半导体发光叠层结构中之各层系大体上平行于该外凸部之该外表面。如请求项1所述之半导体发光装置，其中该半导体发光叠层结构系包含：一n型半导体层；一p型半导体层；及一发光层，系位于该n型半导体层与该p型半导体层之间。如请求项7所述之半导体发光装置，其中该半导体发光叠层结构系更包含：一缓冲层，系位于该基板与该半导体发光叠层结构之间。如请求项7所述之半导体发光装置，更包含：一n型电极，系与该n型半导体层电性连接；及一p型电极，系与该p型半导体层电性连接。如请求项9所述之半导体发光装置，其中该n型电极与该p型电极系达到大体上相同之高度。一种半导体发光装置之制造方法，包含：提供一蓝宝石基板；蚀刻该蓝宝石基板并形成具有非{0001}晶面之一外凸部；形成一发光层于该外凸部上方；形成一p型半导体层于该发光层之一侧；及形成一n型半导体层于该发光层之另一侧。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，其中该外凸部系形成为一轮廓，其系择自角锥、三角锥、脊形、三角脊、及平截头体所构成之群组。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，更包含：形成一缓冲层于该蓝宝石基板上。如请求项14所述之半导体发光装置之制造方法，其中该缓冲层系形成于200℃~900℃。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，更包含：形成一透明导电层于该发光层远离该蓝宝石基板之一侧。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，更包含：形成一电性连接至该n型半导体层之n型电极；及形成一电性连接至该p型半导体层之p型电极。如请求项17所述之半导体发光装置之制造方法，其中该n型电极与该p型电极系形成至大体上相同之高度。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，其中该外凸部系形成为二个以上。如请求项12所述之半导体发光装置之制造方法，其中该发光层系形成为一多重量子井结构。 |
