| 发明名称 | 钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种钽溅射靶，其特征在于，在钽靶的表面，以整体结晶取向的总和为1时，具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶其面积率不超过0.5。本发明的课题在于得到成膜速度快，膜的均匀性优良，另外，成膜特性良好，很少产生电弧和颗粒的钽溅射用靶。 | ||
| 申请公布号 | CN1871372B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200480030918.5 | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 小田国博 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 一种钽溅射靶，其特征在于，钽溅射靶的平均结晶粒径为80μm以下，在该钽溅射靶的表面，以整体结晶取向的总和为1时，具有(100)<001>、(111)<001>、(110)<001>之任一取向的结晶，其相对于轧制面的法线方向轴，旋转误差在10°以内的结晶的面积率不超过0.5，而且具有(100)<001>取向的结晶，其相对于轧制面的法线方向轴，旋转误差在10°以内的结晶的面积率为0.3以上、0.5以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||