对腔体抽真空的方法

摘要

一种对半导体制程薄膜沉积腔体抽真空的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体制程薄膜沉积腔体，接着，以低真空泵对半导体制程薄膜沉积腔体进行抽气，再以高真空泵进行第二阶段抽气，此时，以可调节档板挡住晶圆，再以加热器对坩埚中的吸气材料加热以产生蒸气，用以捕捉腔体内残余气体，形成化合物后沉积于档板上，直至达成目标真空度，停止对该吸气材料加热以及打开该可调节档板，以进行下一步制程。

主权项

一种对半导体制程薄膜沉积腔体抽真空的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体制程薄膜沉积腔体，该半导体制程薄膜沉积腔体连接一低真空泵及一高真空泵以对该半导体制程薄膜沉积腔体进行抽气，该半导体制程薄膜沉积腔体设有一晶圆承载盘以承载数片晶圆，一可调节档板，至少一承载吸气材料的坩埚，及一加热器；以该低真空泵对该半导体制程薄膜沉积腔体进行第一阶段抽气，直到达成一第一预定目标真空度；以该高真空泵进行第二阶段抽气至达成一第二预定目标真空度，此时，该可调节档板挡住该晶圆；继续以该高真空泵进行第三阶段抽气，同时，以该加热器对该吸气材料加热产生蒸气，以捕捉该半导体制程薄膜沉积腔体内的残余气体，直至达成终极目标真空度；关闭对该吸气材料加热的该加热器；以及打开该可调节档板，进行所述晶圆的半导体制程沉积。