发明名称 PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA NANOESTRUCTURA CON BASE DE NANOCABLES INTERCONECTADOS, NANOESTRUCTURA Y SU USO COMO TRANSFORMADOR TERMOELECTRICO.
摘要 Procedimiento de fabricación de una nanoestructura que comprende una etapa de crecimiento para formar en un sustrato una red de nanocables (7) de material semiconductor impurificado de un primer tipo (n), estando cada nanocable (7), al final de la etapa de crecimiento, coronado por una gotita (6) de material eléctricamente conductor que ha servido de catalizador durante la etapa de crecimiento, procedimiento caracterizado porque comprende a continuación una etapa de formación de una capa (10) de material eléctricamente aislante alrededor de cada nanocable (7), no recubriendo dicha capa la gotita correspondiente y una etapa de recubrimiento de la capa (10) de material aislante y de la gotita (6) asociadas a cada nanocable (7) por medio de una capa (9) de material semiconductor impurificado de un segundo tipo (p), constituyendo la gotita una unión eléctrica individual entre el nanocable (7) asociado y la capa (9) de material semiconductor impurificado del segundo tipo.
申请公布号 ES2332829(T3) 申请公布日期 2010.02.12
申请号 ES20070354043T 申请日期 2007.07.10
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 PLISSONNIER, MARC;GAILLARD, FREDERIC;SALOT, RAPHAEL;GRUSS, JEAN-ANTOINE
分类号 C30B11/12;H01L35/32;H01L35/34 主分类号 C30B11/12
代理机构 代理人
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