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La présente invention concerne un capteur magnétorésistif comprenant une première couche magnétique d'aimantation piégée (410) et une couche magnétique d'aimantation libre (430), dite couche sensible, séparées par une première couche séparatrice (420) de découplage magnétique. Le capteur comprend en outre une seconde couche magnétique d'aimantation piégée (450), séparée de ladite couche sensible par une seconde couche séparatrice (440) de découplage magnétique, les première et seconde couches séparatrices étant situées de part et d'autre de ladite couche sensible, et les aimantations respectives de la première couche magnétique d'aimantation piégée et de la couche sensible, en absence de champ extérieur, étant sensiblement orthogonales. L'orientation de l'aimantation de la seconde couche piégée est choisie
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