一种记忆体结构及其制作方法

摘要

本发明揭露之记忆体特征在于其浮置闸极与控制闸极皆设于半导体中的沟渠内。其制作方法包含有提供一基底，于基底中形成一第一沟渠并于第一沟渠表面形成一第一闸极介电层，然后，在第一闸极介电层上覆盖一第一导电层；蚀刻第一导电层，于第一沟渠之侧壁上形成一侧壁子，作为浮置闸极，继续蚀刻第一沟渠底部，形成一第二沟渠；于该侧壁子表面、该第二沟渠的侧壁以及底面上形成一闸极间介电层；形成一第二导电层，填满该第一沟渠以及该第二沟渠，作为一控制闸极。