| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，以在装配半导体集成电路器件中，改善生产率。提供矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN100435301C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200410058682.8 | 申请日期 | 2004.07.28 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司 | 发明人 | 牧浩;谷由贵夫 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01);H01L21/58(2006.01) | 主分类号 | H01L21/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤：a、提供有机布线衬底；b、以各个主表面朝上的方式，将多个半导体芯片放置在平台上；c、将衬底放置在多个半导体芯片上；以及d、以在半导体芯片侧的加热温度高于在衬底侧的加热温度的方式，用热压键合方法，将多个半导体芯片一起键合到衬底上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||