发明名称 |
集成电路装置与其制造及资料和程序储存方法 |
摘要 |
是关于一种集成电路装置与其制造及资料和程序储存方法,包括了用来在资料处理的其中一种模式时储存资料的第一存储器阵列,以及在资料处理的另一种模式时储存资料的第二存储器阵列。第一和第二存储器阵列是由非易失性存储单元的电荷储存装置所组成,并且大体上具有相同的结构。而一第一操作程序资料是适用快闪存储器的应用,以对第一存储器阵列内的资料进行编程、擦除和读取。而不同于第一操作程序的一第二操作程序是适用于程序快闪存储器的应用,以来对在第二存储器阵列内的资料进行编程、擦除和读取。 |
申请公布号 |
CN100380664C |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN200410088553.3 |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
叶致锴;蔡文哲;卢道政;卢志远 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1.一种集成电路装置,其特征在于其包括:一半导体衬底;一第一存储器阵列,位于该半导体衬底上,是由非易失性存储单元的电荷储存装置所组成,用以在资料处理的一第一模式时储存资料,以响应一第一操作程序;一第二存储器阵列,位于该半导体衬底上,是由非易失性存储单元的电荷储存装置所组成,用以在资料处理的一第二模式时储存资料,以响应一第二操作程序;以及一控制器电路,耦接该第一和第二存储器阵列,具有依据该第一和第二操作程序来读取、编程和擦除在第一存储器阵列和第二存储器阵列内的资料的逻辑,其中所述的第一操作程序包括由空穴注入而进行编程,并由电场协助电子注入而进行擦除,而该第二操作程序则包括由电子注入而进行编程,并由空穴注入而进行擦除。 |
地址 |
中国台湾 |