| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR CONTROL DEVICE FOR A CVD OR RTP PROCESS |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Durchführung ein Halbleiterbehandlungsverfahrens, insbesondere eines CVD-Verfahrens einer Prozesskammer (17) eines Reaktors (16), mit einem ringförmigen Halter (2) für ein Substrat (1), wobei der Rand (1') des im Wesentlichen kreisscheibenförmigen Substrats (1) auf einer an die Ringöffnung (3) des Halters (2) angrenzenden Haltezone (9) liegt. Um die Vorrichtung gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden ist vorgesehen, dass die Haltezone (9) Richtung nach radial außen ansteigend gestaltet ist und eine Vielzahl von einander beabstandete Erhebungen (4, 14) aufweist, auf denen der Rand (1') des Substrats (1) aufliegt.</p> |
| 申请公布号 |
WO2007131547(A1) |
申请公布日期 |
2007.11.22 |
| 申请号 |
WO2006EP62307 |
申请日期 |
2006.05.15 |
| 申请人 |
AIXTRON AG;BAUMANN, PETER;STRZYZEWSKI, PIOTR |
发明人 |
BAUMANN, PETER;STRZYZEWSKI, PIOTR |
| 分类号 |
H01L21/687;C23C16/455;C23C16/458;C30B25/12;C30B31/14;H01L21/00;H01L21/68 |
主分类号 |
H01L21/687 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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