| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、识别标签和信息载体 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件(100)包括集成电路(20)和第一和第二接触面(31、33)。它们利用垂直互连(32、34)连接到集成电路(20)。该集成电路(20)位于衬底的半导体层中。该衬底不存在于非有源区(B)中。这导致这样的事实：在器件100的侧面(101)上既不暴露导电材料也不暴露半导体衬底的一部分。由此在将器件叠置在两个金属化的箔之间形成识别标签时，防止由于器件(100)的侧面(101)上的不希望的接触而产生短路的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN1856875A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200480027580.8 | 申请日期 | 2004.09.02 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 罗纳德·德克尔;特奥多鲁斯·M·米希尔森;安东·M·H·汤姆博;约翰－海因里希·福克 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种具有第一面和相对的第二面的半导体器件，包括：衬底，其包括半导体层和电绝缘层，并位于器件的所述第一面上；集成电路，设有多个半导体元件，所述半导体元件限定在所述半导体层中和/或其上，并且利用互连结构根据所希望的图案进行互连；位于所述器件的所述第一面上的第一接触面；位于所述器件的所述第二面上并连接到所述互连结构的第二接触面；其中：存在电绝缘支撑层，其在所述第二面覆盖所述集成电路，并在非有源区中在所述集成电路周围横向地延伸，穿过该支撑层存在垂直互连，从而使所述第二接触面与所述互连结构连接；横向地部分除去所述衬底的所述半导体层，以便在所述非有源区中不存在；并且所述第一接触面通过垂直互连连接到所述互连结构。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||