| 摘要 |
〔课题〕无法容易达成半导体发光元件的过电压保护。〔解决手段〕本发明系提供一种具有保护元件之半导体发光装置，系在包含p型半导体层(13)、活性层(14)、n型半导体层(15)的发光用半导体区域(1)的一方之主面(17)上，配置第1电极(2)。在发光用半导体区域(1)的另一方的主面(18)上，配置具有导电性的光反射层(3)。在光反射层(3)上中介黏合金属层(6)，黏合保护元件用的半导体基板(5)。在半导体基板(5)设置：用来构成作为保护元件的稽纳二极体(Zener Diode)之n型半导体区域(21)与p型半导体区域(22)。藉由导体(9)，使稽纳二极体(Zener Diode)与发光元件并列连接。 |
